"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературное переключение в РbТb : Ga под давлением
Акимов Б.А.1, Албул А.В.1, Богданов Е.В.1, Ильин В.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Установлено, что при давлениях P>~= l5 кбар поведение высокоомных образцов PbTe : Ga качественно изменяется: сильные электрические поля вместо обнаруженного ранее переключения в низкоомное состояние вызывают переключение образцов в высокоомное состояние с большим временем релаксации. При этом рост сопротивления достигает 2 порядков. После переключения вольт-амперные характеристики становятся суперлинейными, что характерно для проводимости по примесным центрам. Экспериментальные данные удается качественно объяснить, если учесть, что при P>~= 15 кбар примесный уровень, стабилизирующий уровень Ферми, оказывается в валентной зоне. В результате в слабых электрических полях при низких температурах наблюдается зонная проводимость. Сильное поле, перебрасывая носители (дырки) на резонансный уровень в долгоживущие состояния, подавляет зонную проводимость и приводит к проводимости по локальным центрам.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.