"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние характера рассеяния на время жизни неосновных носителей заряда в кремнии, легированном гафнием
Гарнык В.С.1
1Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

В работе изучено влияние облучения быстрыми электронами с энергией 8 МэВ на время жизни и холловскую подвижность дырок в монокристаллах кремния марки КДБ-12, легированном гафнием до концентрации 1014 см-3. Установлено, что время жизни, значительно снизившееся в результате воздействия облучения в интервале доз 3.2· 1014-6.4· 1015 см-3, после выдержки облученных образцов при комнатной температуре в течение 30 месяцев восстанавливалось, достигая уровня, наблюдавшегося в необлученных образцах. Анализ полученных результатов позволил сделать вывод о том, что устойчивость к воздействию облучения времени жизни определяется преобладанием механизма рассеяния носителей заряда на локальных центрах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.