"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных Au-n-GaP-структур на Si-подложках
Евстропов В.В.1, Жиляев Ю.В.1, Липко А.Л.1, Мынбаева М.Г.1, Назаров Н.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.