"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Характер температурной и токовой зависимостей интенсивности краевой инжекционной электролюминесценции SiC p-n-структур
Аникин М.М.1, Стрельчук А.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1, Черенков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Исследованы характеристики краевой инжекционной электролюминесценции (ЭЛ) в 6H- и 4H-SiC p-n-структурах, изготовленных жидкостной эпитаксией и сублимацией. Обнаружен рост интенсивности краевой ЭЛ при увеличении температур и степенная зависимость интенсивности от прямого тока. ЭЛ характеристики интерпретируются с привлечением результатов исследования рекомбинационных параметров и вольт-амперных характеристик p-n-структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.