"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поверхностная проводимость и релаксация емкости границ зерен в бикристаллах n-Ge
Бочкарева Н.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Обнаружен температурный сдвиг пиков DLTS при старении поверхности бикристалла Ge. Показано, что аномальные пики DLTS отражают динамику переходного процесса в поверхностном канале вблизи границы зерен. Установление диффузионно-дрейфового равновесия в канале, определяемое емкостью слоя собственного окисла и поверхностной проводимостью, замедляется по мере приближения к границе и может быть характеризовано быстрой и медленной стадиями релаксации из-за различия в величинах поверхностной проводимости в квазинейтральной и приграничной областях бикристалла. Модуляция высоты и ширины приграничного барьера на поверхности высокочастотным тестовым напряжением может обусловливать возникновение емко- стной компоненты поверхностного тока, медленно релаксирующей после импульса напряжения. Пики DLTS вблизи 100 K связываются с адсорбцией молекул воды. Предполагается, что неоднородности поверхностного потенциала в области дислокаций приводят к изменению скорости электрохимического процесса на границе со льдом. Это обусловливает изменение статических и переходных электрических характеристик барьерных структур в присутствии дислокаций и связь амплитуды пиков DLTS с плотностью этих дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.