"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетерограницы с СЛГС InP/In1-xGaxAs, выращенных жидкофазной эпитаксией
Быстров С.Д.1, Туан Ле1, Новиков С.В.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Проведены исследования изменения состояния гетерограницы в СЛГС InP/In1-xGaxAs с 2МЭГ, выращенных методом ЖФЭ при различных температурах эпитаксии Tep слоев твердых растворов In1-xGaxAs. Показано, что даже незначительное отклонение от оптимальной температуры эпитаксии T*ep приводит к снижению подвижности носителей 2МЭГ, связанному с ухудшением качества гетерограницы, вероятно, за счет увеличения концентрации заряженных дефектов и шероховатостей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.