"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантовые нити с управляемой шириной проводящего канала на основе генетоструктур In0.53Ga0.47As/InP
Дроздов С.В.1, Кипшидзе Г.Д.1, Крещук А.М.1, Кулагина М.М.1, Новиков С.В.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Объектом исследований являлись квантовые нити с субмикронными (до 0.3 мкм) размерами на основе селективно-легированных анизотипных инвертированных гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP. Для получения таких образцов разработана методика, базирующаяся на использовании оптической фотолитографии и двухступенчатого химического селективного травления. Проведено сопоставление низкотемпературных гальваномагнитных свойств электронного газа в тонких квантовых нитях и в широком образце, а также анализ отрицательного магнитосопротивления тонких нитей в различных состояниях образца в режиме замороженной фотопроводимости. Показано, что с помощью освещения GaAs-светодиодом можно менять поверхностную концентрацию носителей в пределах (0.5/ 3.2)· 1011 см-2, а ширину проводящего канала в квантовых нитях --- от 3 до 900 нм. За счет эффекта замороженной фотопроводимости указанные изменения сохраняются и после выключения света.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.