"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние метастабильных состояний на формирование стационарных спектров фотолюминесцинции n-GaAs
Криволапчук В.В.1, Полетаев Н.К.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

В образцах n-GaAs исследовались низкотемпературные спектры краевой фотолюминесценции от интенсивности возбуждения, в области малых мощностей накачки, при стационарном и импульсном возбуждении. Показано, что характерные особенности спектров краевой фотолюминесценции зависят от концентрации метастабильных состояний, захватывающих неосновные носители.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.