"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Управление модовым составом мощных зарощенных лазеров на основе InGaAsP/GaAs с длиной волны 0.8 мкм
Гарбузов Д.3.1, Бородицкий М.Л.1, Ильинская Н.Д.1, Лившиц Д.А.1, Марьинский Д.Н.1, Рафаилов Э.У.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Представлены результаты дальнейших исследований медового состава лазеров на InGaAsP. Предложена теоретическая модель, позволяющая рассчитать модовый состав лазера и объяснить улучшение модового состава при увеличении температуры. На основе проведенных исследований предложена и испытана новая конструкция одномодовых лазеров с узким контактом, позволяющая получать до 200 мВт в одномодовом режиме генерации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.