Проведены исследования влияния обработки в водородной плазме тлеющего разряда на фотолюминесценцию при 78 K выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений слоев нелегированного Al_0.3Ga_0.7As, легированного кремнием Al_0.28Ga_0.72As (n~ 10¹⁷ см^-3), нелегированного GaAs, нелегированных многослойных структур с набором квантовых ям GaAs/Al_0.23Ga_0.77As шириной 2, 3.6, 5.4 и 23 нм и нелегированных двойных гетероструктур GaAs/AlGaAs с раздельным электрическим и оптическим ограничением при активной области 20 нм. В результате гидрогенизации наблюдалось уменьшение интенсивности ФЛ нелегированных слоев Al_0.3Ga_0.7As и GaAs и ее усиление в случае слоев легированного кремнием Al_0.28Ga_0.72As. Обнаружено сильное увеличение интенсивности фотолюминесценции квантовых ям GaAs/AlGaAs после обработки в водородной плазме. Наблюдаемый эффект наиболее сильно проявляется для узких квантовых ям и связан с пассивацией водородом безызлучательных дефектов на гетерограницах. В случае двойной гетероструктуры с раздельным ограничением, содержащей переходные слои с градиентом состава в области гетерограниц, после гидрогенизации наблюдается сильное сужение спектра фотлюминесценции активной области GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.