"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние гидрогенизации на фотолюминесценцию структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
Бумай Ю.А.1, Явич Б.С.1, Синицын М.А.1, Ульяшин А.Г.1, Шлопак Н.В.1, Воронин В.Ф.1
1Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Проведены исследования влияния обработки в водородной плазме тлеющего разряда на фотолюминесценцию при 78 K выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений слоев нелегированного Al0.3Ga0.7As, легированного кремнием Al0.28Ga0.72As (n~ 1017 см-3), нелегированного GaAs, нелегированных многослойных структур с набором квантовых ям GaAs/Al0.23Ga0.77As шириной 2, 3.6, 5.4 и 23 нм и нелегированных двойных гетероструктур GaAs/AlGaAs с раздельным электрическим и оптическим ограничением при активной области 20 нм. В результате гидрогенизации наблюдалось уменьшение интенсивности ФЛ нелегированных слоев Al0.3Ga0.7As и GaAs и ее усиление в случае слоев легированного кремнием Al0.28Ga0.72As. Обнаружено сильное увеличение интенсивности фотолюминесценции квантовых ям GaAs/AlGaAs после обработки в водородной плазме. Наблюдаемый эффект наиболее сильно проявляется для узких квантовых ям и связан с пассивацией водородом безызлучательных дефектов на гетерограницах. В случае двойной гетероструктуры с раздельным ограничением, содержащей переходные слои с градиентом состава в области гетерограниц, после гидрогенизации наблюдается сильное сужение спектра фотлюминесценции активной области GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.