"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Самокомпенсация донорной примеси нейтральными комплексами в теллуриде свинца, легированном висмутом
Равич Ю.И.1, Немов С.А.1, Прошин В.И.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Производится расчет самокомпенсации легирующего действия примеси в полупроводниках типа AIVBVI нейтральными комплексами, состоящими из вакансии и двух примесных атомов. Вычисляется энтропия комплексов, и термодинамический потенциал минимизируется по концентрациям одиночных двухзарядных вакансий и комплексов. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными, полученными при легировании теллурида свинца висмутом при избытке теллура относительно стехиометрического состава. Учет комплексообразования существенно улучшает согласие теории с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.