"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптически индуцированная самокомпенсация халькогенов в кремнии
Баграев Н.Т.1, Лебедев А.А.1, Мирсаатов Р.М.1, Половцев И.С.1, Юсупов А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

В кремнии, содержащем центры теллура, селена и серы, обнаружены процессы тушения и регенерации фотопроводимости в ходе предварительной накачки монохроматическим светом, которые обусловлены обратимой фотодиссоциацией одноэлектронного состояния глубокого двойного донора халькогена в кремнии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.