"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительность и наведенный фотоплеохроизм двухбарьерных структур Au-n-GaP/p-Si
Жиляев Ю.В,1, Мелебаев Д.1, Назаров Н.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана, Ашгабад, Туркменистан
Поступила в редакцию: 21 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Исследована фоточувствительность структур Au-n-GaP/p-Si, включающих гетеропереход (n-GaP/p-Si) и диод Шоттки (Au-n-GaP) со встречно направленными электрическими полями. Показано, что при освещении таких структур со стороны барьерного контакта (золота) в спектре фототока возникает инверсия его знака, обусловленная конкуренцией фоточувствительности составляющих структуру барьеров. Установлено, что наличие инверсии знака фототока при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность структур со стороны слоя золота приводит к селективному эффекту усиления наведенного фотоплеохроизма. Сделан вывод о возможностях использования созданных двухбарьерных структур Au-n-GaP/p-Si в качестве поляриметрических фотодетекторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.