"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физические явления и их закономерности в тонких аморфных пленках фосфида галлия, возбужденных светом или пучками быстрых электронов
Аронов Д.А.1, Исаев X.И.1, Рубинов В.М.1, Туйчиев М.1
1Научно-производственное объединение "Физика
Поступила в редакцию: 19 марта 1992 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Описаны методика исследований фото-(ФП) и электронно-возбужденной (ЭВП) проводимости в высокоомных аморфных пленках GaP под действием сканирующего пучка электронов, управляемого по энергии частиц, интенсивности и диаметру, и технология получения "омических" контактов, прозрачных для электронного луча. Проведен цикл экспериментальных исследований и анализ процессов, протекающих в пленках GaP субмикронной толщины. Изучены статические и мгновенная импульсная ВАХ в темноте и при освещении, при различных токах пучка электронов и температурах, зависимость ЭВП от энергии частиц, токовый коэффициент внутреннего усиления и др. Установлена связь наблюдавшихся характеристик с квазинепрерывным по энергии спектром ловушек и определены положение его в запрещенной зоне, тип носителей, ответственных за ФП и ЭВП, ширина запрещенной зоны пленок и т. д. Обсуждены полученные результаты и установлен механизм прохождения тока, а также описаны разработанные корреляционные устройства обработки оптической информации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.