Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О влиянии сегрегации на состав твердого раствора GaAs1-xSbx в методе жидкофазной эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Проведен анализ физических и физико-химических процессов, способных приводить к появлению градиента состава жидкой фазы при эпитаксии пленок твердого раствора GaAs1-xSbx. Показано, что доминирующим механизмом в этом случае является гравитационная ликвация.
- Ю.Ф. Бирюлин, Р.Р. Ичкитидзе, В.К. Кригель, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 13 (6), 1235 (1979)
- А.Н. Несмеянов, Р.А. Соколик. Методы элементоорганической химии ( бор, алюминий, галлий, индий, таллий) (М., Наука, 1964)
- J.R. Arther. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2257 (1967)
- J. Ohsawa, K. Ikeda, K. Takahashi, W. Susaki. Jap. J. Appl. Phys., 21 (1), L49 (1982)
- А.А. Шебзухов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 8, 13 (1983)
- Ю.Ф. Бирюлин, В.Н. Каряев, О.Ф. Лепехин. Письма ЖТФ, 20 (16), 29 (1994)
- Л.Н. Курбатов. Прикл. физика, N 3, 5 (1999)
- С.В. Новиков, И.Г. Савельев, М. Панек, Р. Пашкович, М. Тлачала, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, 19 (14), 70 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
