"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Румянцев В.В.1, Иконников А.В.1,2, Антонов А.В.1, Морозов С.В.1,2, Жолудев М.С.1, Спирин К.Е.1, Гавриленко В.И.1,2, Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Проведены исследования спектров и кинетики релаксации межзонной фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с x=0.19-0.23 и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe с энергией межзонных переходов в диапазоне 30-90 мэВ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (013). В спектрах структур с квантовыми ямами помимо межзонной фотопроводимости обнаружена длинноволновая полоса чувствительности, обусловленная примесями/дефектами. Показано, что при той же самой энергии оптического перехода времена жизни неравновесных носителей в структурах с КЯ меньше, чем в объемных образцах. По измеренным временам жизни носителей оценены ампер-ваттная чувствительность и эквивалентная мощность шума для пленки с x=0.19 для длины волны 19 мкм. При исследованиях кинетики релаксации фотопроводимости при 4.2 K в условиях сильного возбуждения обнаружено преобладание излучательной рекомбинации над остальными механизмами рекомбинации неравновесных носителей.
  1. A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68, 2267 (2005)
  2. V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Opto-Electron. Rev., 11 (2), 99 (2003)
  3. V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
  4. S. Krishnamurthy, M.A. Berding, Z.G. Yu. J. Electron. Mater., 35, 1369 (2006)
  5. J. Chu, A. Sher. Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors (Springer Science+Business Media, LLC, N.Y., 2008)
  6. K. Jozwikowski, M. Kopytko, A. Rogalski. J. Appl. Phys., 112, 033 718 (2012)
  7. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, V.Ya. Aleshkin, A.V. Antonov, M.S. Joludev, K.E. Kudryavtsev, V.I. Gavrilenko, N.N. Michailov, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm. Abstract 3rd EOS Topical Meeting on Terahertz Science and Technology (Prague, 2012), p. 5317
  8. J.S. Blakemore. Semiconductor Statistics (Pergamon, Oxford, England, 1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.