"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным delta-легированием
Мурель А.В.1, Данильцев В.М.1, Демидов Е.В.1, Дроздов М.Н.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Экспериментальные исследования влияния быстрого термического отжига на низкобарьерные диодные структуры, используемые при изготовлении микроволновых детекторов для систем радиовидения, указывают на возрастание эффективной высоты барьера. Предполагая, что эффект связан с диффузионным расплыванием delta-слоя кремния, который определяет токоперенос в модифицированном диоде, построена теоретическая модель и оценен коэффициент диффузии кремния в приповерхностной области арсенида галлия (D~2·10-14 см2/c при 600oC). Сравнение с опубликованными данными позволяет предположить, что диффузия в приповерхностном слое существенно облегчена по сравнению с объемной. Высказывается предположение, что причиной ускорения диффузионного процесса могут быть высокое электрическое поле, создаваемое заряженной плоскостью доноров, а также повышенная плотность дефектов вблизи поверхности. Практический результат заключается в появляющейся возможности в определенных пределах повышать эффективную высоту барьера в выращенных структурах, что позволит подогнать параметры низкобарьерных диодов к оптимальному значению для получения чувствительных детекторов.
  1. V.I. Shashkin, Y.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin. Int. J. Infrared and Milliwaves, 28, 945 (2007)
  2. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильщев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника, 26, 37 (1997)
  3. В.И. Шашкин, А.В. Мурель. Микроэлектроника, 39, 348 (2010)
  4. E.F. Schubert, J.B. Stark, B. Ullrich, J.E. Cunningham. Appl. Phys. Lett., 52, 1508 (1988)
  5. P. Schmidt, K. Deppert, H. Kostial. J. Cryst. Growth, 107, 259 (1991)
  6. Программа 1D-Poisson на сайте www.nd.edu/~gsnider
  7. Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: Tunneling Phenomena in Solids, ed. by E. Burstein, S. Lundqvist (N.Y., Plenum Press, 1969)]
  8. E.F. Schubert, J.B. Stark, T.H. Chiu, B. Tell. Appl. Phys. Lett., 53, 293 (1988)
  9. R.B. Beall, J.B. Clegg, J.J. Harris. Semicond. Sci. Technol., 3, 612 (1988)
  10. M.E. Greiner, J.F. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 44, 750 (1984)
  11. J.E. Cunningham, T.H. Chiu, W. Jan, T.Y. Kuo. Appl. Phys. Lett., 59, 1452 (1991)
  12. T.H. Chiu, J.E. Cunningham, B. Tell, E.F. Schubert. J. Appl. Phys., 64, 1578 (1988)
  13. K.H. Lee, D.A. Stevenson, M.D. Deal. J. Appl. Phys., 68, 4008 (1990)
  14. K.B. Kahen. J. Appl. Phys., 66, 6176 (1989)
  15. Yong Kim, Moo Sung Kim, SukKi Min, Choochon Lee. J. Appl. Phys., 69, 1355 (1991)
  16. Ph. Jansen, M. Meuris, M. Van Rossum, G. Borghs. J. Appl. Phys., 68, 3766 (1990)
  17. D. Shaw, A.L.J. Weells. Brit. J. Appl. Phys., 17, 999 (1966)
  18. H.C. Nutt, R.S. Smith, M. Towers, P.K. Rees, D.J. James. J. Appl. Phys., 70, 821 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.