"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs
Алешкин В.Я.1, Афоненко А.А.2, Дикарёва Н.В.3, Дубинов А.А.1, Кудрявцев К.Е.1, Морозов С.В.1, Некор кин С.М.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Теоретически и экспериментально исследован волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в полупроводниковой лазерной структуре на основе GaAs. Показана возможность использования квантовых ям только в качестве волноведущих слоев в лазерной структуре. При достижении величины плотности мощности возбуждения 2 кВт/см2 при температуре жидкого азота наблюдалась суперлюминесценция на длине волны, соответствующей оптическому переходу в объемном GaAs (длина волны 835 нм).
  1. F. Bachmann, P. Loosen, R. Poprawe. High power diode laser. Technology and applications (Berlin, Springer, 2007)
  2. A. Yariv, P. Yeh. Optical waves in crystals (N.Y., John Wiley \& Sons, Inc., 1984)
  3. В.Я. Алёшкин, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, К.Е. Кудрявцев, А.Н. Яблонский. Труды XVI междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника". (Н. Новгород, Россия, 2012) т. 1, с. 241
  4. V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy, B.N. Zvonkov. arXiv:1211.4312

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.