"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)
Тонких A.A.1,2, Талалаев В.Г.3, Werner P.1
1Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle, Germany
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Martin Luther University Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano, Halle, Germany
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Сообщается о синтезе псевдоморфных гетероструктур GeSn на подложке Ge(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии. Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии показывают, что слои GeSn - бездефектные и обладают кубической алмазоподобной структурой. Спектроскопия фотолюминесценции обнаруживает излучательную межзонную рекомбинацию в GeSn-квантовых ямах, идентифицированную как непрямые переходы между подзонами тяжелых электронов и тяжелых дырок. На основании экспериментальных данных и моделирования зонной структуры псевдоморфных соединений GeSn была оценена нижняя граница параметра нелинейности для непрямой запрещенной зоны, bL≥ 1.47 эВ.
  1. L. Pavesi. Proc. SPIE 4997, Photonics Packaging and Integration III, 206 (2003)
  2. X. Liu, R.M. Osgood, jr, Y.A. Vlasov, W.M.J. Green. Nature Phot., 4, 557 (2010)
  3. R.F.C. Farrow, D.S. Robertson, G.M. Williams, A.G. Cullis, G.R. Jones, LM. Young, P.N.J. Dennis. J. Cryst. Growth, 54, 507 (1981)
  4. R. Chen, H. Lin, Y. Huo, C. Hitzman, T.I. Kamins, J.S. Harris. Appl.Phys.Lett., 99, 181 125 (2011)
  5. J. Kouvetakis, J. Menendez, A.V.G. Chizmeshya. Ann. Rev. Mater. Res., 36, 497 (2006)
  6. I.S. Yu, T.H. Wu, K.Y. Wu, H.H. Cheng, V.I. Mashanov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, X.S. Wu. AIP Adv., 1, 042 118 (2011)
  7. P. Lawaetz. Phys. Rev. B, 4, 3460 (1971)
  8. C.F. Lavine, A.W. Ewald. J. Phys. Chem. Sol., 32, 1121 (1971)
  9. V.R. D'Costa, C.S. Cook, A.G. Birdwell, C.L. Littler, M. Canonico, S. Zollner, J. Kouvetakis, J. Menendez. Phys. Rev. B, 73, 125 207 (2006)
  10. G. Sun, R.A. Soref, H.H. Cheng. J. Appl. Phys., 108, 033 107 (2010)
  11. W.-J. Yin, X.-G. Gong, S.-H. Wie. Phys. Rev. B, 78, 161 203R (2008)
  12. C.G. Van de Walle. Phys.Rev. B, 39, 1871 (1989)
  13. O. Madelung, M. Schultz, H. Weiss. Physics of Group IV Ele-ments and III--V Compounds., 1 st edn (N.Y., Springer Verlag, 1982) v. 17a
  14. P. Aella, C. Cook, J. Tolle, S. Zollner, A.V.G. Chizmeshya, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 84, 888 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.