"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI
Яблонский А.Н.1, Байдакова Н.А.1, Новиков А.В.2, Лобанов Д.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Представлены результаты исследования спектральных и временных характеристик фотолюминесценции многослойных структур с самоформирующимися Ge(Si) островками, выращенных на кремниевых подложках и подложках "кремний-на-изоляторе", в зависимости от температуры и длины волны возбуждающего излучения. В структурах с Ge(Si) островками, выращенными на кремниевых подложках, обнаружено значительное возрастание интенсивности фотолюминесценции островков при увеличении температуры от 4 до 70 K, связанное с диффузией неравновесных носителей заряда из кремниевой подложки в активный слой с островками. При этом в кинетике нарастания фотолюминесценции островков возникает медленная компонента с характерным временем ~100 нс. В то же время в структурах, выращенных на подложках "кремний-на-изоляторе", в которых активный слой с островками изолирован от кремниевой подложки слоем SiO2, медленная компонента в кинетике нарастания фотолюминесценции островков отсутствует, и возрастание интенсивности фотолюминесценции с ростом температуры не наблюдается. Установлено, что поглощение возбуждающего излучения в островках и SiGe смачивающих слоях дает основной вклад в возбуждение сигнала фотолюминесценции островков в условиях подзонной оптической накачки.
  1. V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werber. Phys. Status Solidi, 198, R4 (2003)
  2. D.N. Lobanov, A.V. Novikov, K.E. Kudryavtsev et. al. Physica E, 41, 935 (2009)
  3. Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, D.N. Lobanov, A.V. Novikov et al. Semiconductors, 42, 286 (2008)
  4. Н.А. Байдакова, А.В. Новиков, Д.Н. Лобанов, А.Н. Яблонский. Письма ЖТФ, 38 (18), 7 (2012)
  5. S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyama. Thin Sol. Films, 321, 65 (1998)
  6. В.Я. Алешкин и др. Письма ЖЭТФ, 67, 46 (1998)
  7. O.G. Schmidt, M. Gail, C. Lange, K. Eberl. Phys. Status Solidi B, 215, 319 (1999)
  8. Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ, 46 (1), 63 (2004)
  9. W.C. Dash, R. Newman. Phys. Rev., 99, 1151 (1955)
  10. Н.А. Байдакова, А.В. Новиков, Д.Н. Лобанов, А.Н. Яблонский. Тр. XVI Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (2012), с. 191

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.