"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами
Винниченко М.Я.1, Воробьев Л.Е.1, Фирсов Д.А.1, Машко М.О.1, Балагула Р.М.1, Belenky G.2, Shterengas L.2, Kipshidze G.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2State University of New York at Stony Brook, Stony Brook, New York, USA
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

В инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами InGaAsSb/InAlGaAsSb экспериментально исследованы спектральные зависимости интенсивности спонтанной люминесценции в допороговом режиме и в режиме лазерной генерации. По зависимости интегральной спонтанной люминесценции от тока определена токовая зависимость концентрации носителей заряда. Обнаружено отсутствие насыщения концентрации носителей заряда с током в режиме генерации стимулированного излучения. Показано, что это может быть связано с разогревом носителей заряда на нижних уровнях размерного квантования и с увеличением поглощения света свободными дырками в волноводе.
  1. Л.Е. Воробьев, В.Л. Зерова, К.С. Борщев, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, G. Belenky. ФТП, 42 (6), 753 (2008)
  2. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, В.Л. Зерова, Д.А. Фирсов. ФТП, 37 (5), 604 (2003)
  3. W.M. Webster. Proc. IRE, 42 (6), 914 (1954)
  4. Г.Н. Илуридзе, А.Н. Титков, Е.М. Чайкина. ФТП, 21 (1), 80 (1987)
  5. G. Belenky, L. Shterengas, D. Wang, G. Kipshidze, L. Vorobjev. Semicond. Sci. Technol., 24, 115 013 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.