"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях
Морозов С.В.1,2, Румянцев В.В.1,2, Кудрявцев К.Е.1, Гавриленко В.И.1,2, Козлов Д.В.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Исследуется релаксация примесной фотопроводимости в p-Si : B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в "греющих" (10-500 В/см) электрических полях. Обнаружено изменение характера зависимости времени релаксации от электрического поля при E>75 В/см за счет подключения процессов релаксации с испусканием оптического фонона. Зависимость темпов релаксации носителей от интенсивности и длины волны возбуждающего излучения указывает также на наличие долгоживущего возбужденного состояния, играющего роль уровня прилипания при релаксации носителей.
  1. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Одноблюдов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 115 (1), 89 (1999)
  2. H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Semicond. Sci. Technol., 20, 211 (2005)
  3. G.L.J.A. Rikken, P. Wyder, J.M. Chamberlain and R.T. Grimes, L.L. Taylor. Phys. Rev. B, 38 (6), 4156 (1988)
  4. S.V. Morozov, L.V. Gavrilenko, I.V. Erofeeva, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, A.N. Yablonskiy, D.I. Kuritsin, E.E. Orlova, V.I. Gavrilenko. Semicond. Sci. Technol., 26 085 009 (2011)
  5. С.В. Морозов, К.В. Маремьянин, И.В. Ерофеева, А.Н. Яблонский, А.В. Антонов, Л.В. Гавриленко, В.В. Румянцев, В.И. Гавриленко. ФТП, 44 (11), 1523 (2010)
  6. В.В. Румянцев, С.В. Морозов, К.Е. Кудрявцев, В.И. Гавриленко, Д.В. Козлов. ФТП, 46 (11), 1414 (2012)
  7. Э.Э. Годик, Ю.А. Курицын, В.П. Синис. ФТП, 12, 351 (1978)
  8. Н.А. Бекин, Р.Х. Жукавин, К.А. Ковалевский, С.Г. Павлов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, В.Н. Шастин. ФТП, 39 (1), 76 (2005)
  9. Е.М. Гершензон, Г.Н. Гольцман, В.В. Мултановский, Н.Г. Птицина. ЖЭТФ, 77 (4), 1134 (1979)
  10. Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. Письма ЖЭТФ, 51 (7), 377 (1990)
  11. В.Н. Абакумов, П.М. Крещук, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 264 (1978)
  12. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безылучательная рекомбинация в полупроводниках (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.