Проведено исследование спектрокинетических свойств с пикосекундным и наносекундным временным разрешением гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAs/GaAsSb и GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0-1.2 мкм. В структуре GaAsSb/InGaAs/GaAs наблюдалась интенсивная фотолюминесценция вплоть до комнатной температуры, а также увеличение сигнала фотолюминесценции в 2.5 раза и сдвиг положения максимума пика (~100 мэВ) в длинноволновую область по сравнению со структурой-спутником GaAsSb/GaAs. Установлено, что с увеличением молярной доли Sb и толщины слоя InGaAs энергия основного перехода уменьшается на 140 мэВ по отношению к структуре GaAsSb/InGaAs/GaAs с меньшим содержанием Sb и меньшей толщиной слоя InGaAs. При 300 K длина волны излучения такой структуры составляла 1.18 мкм. Кроме того, увеличение толщины слоя InGaAs привело к увеличению интенсивности фотолюминесценции при комнатной температуре в 60 раз, что связано с уменьшением энергии основного состояния для электронов в слое InGaAs, и, следовательно, к большей локализации электронов и меньшему температурному гашению фотолюминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.