"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0-1.2 мкм
Морозов С.В.1,2, Крыжков Д.И.1,2, Алешкин В.Я.1,2, Звонков Б.Н.3, Вихрова О.И.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Проведено исследование спектрокинетических свойств с пикосекундным и наносекундным временным разрешением гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAs/GaAsSb и GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0-1.2 мкм. В структуре GaAsSb/InGaAs/GaAs наблюдалась интенсивная фотолюминесценция вплоть до комнатной температуры, а также увеличение сигнала фотолюминесценции в 2.5 раза и сдвиг положения максимума пика (~100 мэВ) в длинноволновую область по сравнению со структурой-спутником GaAsSb/GaAs. Установлено, что с увеличением молярной доли Sb и толщины слоя InGaAs энергия основного перехода уменьшается на 140 мэВ по отношению к структуре GaAsSb/InGaAs/GaAs с меньшим содержанием Sb и меньшей толщиной слоя InGaAs. При 300 K длина волны излучения такой структуры составляла 1.18 мкм. Кроме того, увеличение толщины слоя InGaAs привело к увеличению интенсивности фотолюминесценции при комнатной температуре в 60 раз, что связано с уменьшением энергии основного состояния для электронов в слое InGaAs, и, следовательно, к большей локализации электронов и меньшему температурному гашению фотолюминесценции.
  1. T. Anan, M. Yamada, K. Tokutome, S. Sugou, K. Nishi, A. Kamei. Electron. Lett., 35, 903 (1999)
  2. P. Dowd, S.R. Johnson, S.A. Feld, M. Adamcyk, S.A. Chaparro, J. Joseph, K. Hilgers, M.P. Horning, K. Shiralagi, Y.-H. Zhang. Appl. Electron. Lett., 39, 987 (2003)
  3. I. Vurgaftman, J.R. Meiyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  4. J.R. Pesetto, G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 62, 1 (1983)
  5. Ю.Г. Садофьев, N. Samal, Б.А. Андреев, В.И. Гавриленко, С.В. Морозов, А.Г. Спиваков, А.Н. Яблонский. ФТП, 44 (3), 422 (2010)
  6. J.-B. Wang, S.R. Johnson, S.A. Chaparro, D. Ding, Y. Cao, Yu.G. Sadofyev, Y.-H. Zhang, J.A. Gupta, C.Z. Guo. Phys. Rev. B, 70, 195 339 (2004)
  7. J.F. Klem, O. Blum, S.R. Kurtz, I.J. Fritz, K.D. Choquette. J. Vac. Sci. Technol., 18 (3), 1605 (2000)
  8. Y.K. Su, C.T. Wan, R.W. Chuang, C.Y. Huang, W.C. Chen, Y.S. Wang, H.C. Yu. J. Cryst. Growth, 310, 4850 (2008)
  9. T.S. Wang, J.T. Tsai, K.I. Lin. Mater. Sci. Engin. B, 147, 131 (2008)
  10. K. Hild, S.J. Sweeney, S. Wright. Appl.Phys. Lett., 89, 173 509 (2006)
  11. G. Gol'tsman, A. Korneev, I. Rubtsova, I. Milostnaya, G. Chulkova, O. Minaeva. K. Smirnov, B. Voronov, W. Slysz, A. Pearlman, A. Verevkin, R. Sobolewski. Phys. Status Solidi C, 2 (5), 1480 (2005)
  12. M.J. Stevens, R.H. Hadfield, R.E. Schwall, S.W. Nam, R.P. Mirin, J.A. Gupta. Appl. Phys. Lett., 89, 031 109 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.