Изучалась кинетика изменения высоты потенциальных барьеров (движения поверхностного уровня Ферми относительно краев разрешенных зон) на поверхности n- и p-GaAs (100) при обработке в водных растворах сульфида натрия. Изменение высоты определялось оптическим методом, основанным на эффекте поляризационной анизотропии отражения. Установлено, что в процессе обработки поверхности как n-, так и p-GaAs уровень Ферми сначала смещается к потолку валентной зоны до положения E_v+0.3 эВ, а затем возвращается в практически исходное положение. Кинетика движения поверхностного уровня Ферми существенно зависит от типа проводимости GaAs (скорость смещения для n-типа на 1.5-2 порядка выше, чем для p-типа), а также зависит от степени легирования полупроводника и концентрации ионов серы в растворе. Показано, что обработка в растворе сульфида натрия позволяет увеличить высоту потенциального барьера на поверхности n-GaAs до 1.1 эВ, а на поверхности p-GaAs уменьшить ее до 0.3 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.