"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров (lambda=1.3 мкм) с мощностью излучения 160 мВт
Гарбузов Д.З.1, Беришев И.Э.1, Ильин Ю.В.1, Ильинская Н.Д.1, Овчинников А.В.1, Пихтин Н.А.1, Рассудов Н.Л.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.

Установлены и устранены причины, приводящие к возрастанию пороговой плотности тока в лазерных диодах зарощенной конструкции при их изготовлении методом жидкостной эпитаксии. На основании исследований фотолюминесцентных характеристик зарощенных мезаполосков показано, что основной причиной возрастания пороговой плотности тока в соответствующих лазерах является падение внешнего квантового выхода спонтанного излучения, обусловленное возникновением во время процесса заращивания дополнительных центров безызлучательной рекомбинации на границе мезы и блокирующих слоев. Установлено, что величина внешнего квантового выхода спонтанного излучения активной области может быть восстановлена после стравливания в недосыщенном металлическом расплаве тонкого (0.1-0.3 мкм) нарушенного приповерхностного слоя мезы. С использованием данного приема изготовлены одномодовые InGaAsP/InP-лазеры (lambda=1.3 мкм), имеющие при длине резонатора 500 мкм пороговые плотности тока 15-25 мА и непрерывную мощность излучения более 150 мВт.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.