Изучались спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур GaP в GaP_0.4As_0.6, содержащих диэлектрический слой между полупроводником и металлом (толщина слоя варьировалась в пределах 10-100 Angstrem). Показано, что коротковолновая (соответствующая области сильного собственного поглощения полупроводника) фоточувствительность структур с диэлектрическим слоем толщиной delta=30-60 Angstrem (этому соответствует коэффициент идеальности структур beta=1.25-1.5) существенно выше, чем у структур с очень тонким (delta= 10 Angstrem) и относительно толстым (delta=100 Angstrem) диэлектрическими слоями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.