"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение дефектной структуры CdxHg1-xTe при легировании индием
Иванов-Омский В.И.1, Миронов К.Е.1, Мынбаев К.Д.1, Богобоящий В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.

На примере индия рассмотрен вопрос об эффективности легирования твердого раствора CdxHg1-xTe донорными примесями. Предложен подход, объясняющий известный эффект несоответствия концентрации электронов проводимости и атомов индия при сильном легировании явлением компенсации примесных атомов собственными дефектами. В качестве таких дефектов выступают избыточные двукратно заряженные вакансии ртути, генерируемые вследствие электрохимического взаимодействия в системе точечных дефектов и носителей заряда. На основании решения уравнения электронейтральности проведен расчет зависимости концентрации собственных дефектов и носителей от концентрации индия. Показано, что эффективность легирования с увеличением температуры снижается. Результаты расчетов подтверждаются экспериментальными данными, полученными при диффузии индия в эпитаксиальные слои CdxHg1-xTe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.