Проведено исследование лавинного умножения фототока и полевых зависимостей коэффициентов ионизации в твердом растворе Ga_0.80In_0.20As_0.17Sb_0.83 в интервале температур 200-300 K. Показано, что зависимость коэффициентов ионизации дырок и электронов от электрического поля хорошо описывается соотношением вида a = a_{бесконечность} exp [-(E₀/E)²]. Определены значения характеристического поля E₀. Из сопоставления экспериментальных результатов при T=230 K с модифицированной теорией Бараффа оценены средние длины пробега для рассеяния оптического фонона для электронов lambda_e=32.5 Angstrem и дырок lambda_hso=42.5 Angstrem. Установлено, что в интервале электрических полей E=(1.5-2.2)· 10⁵ В/см преобладает ионизация дырками из спин-орбитально отщепленной валентной зоны. Отношение коэффициентов ионизации составляет при этом beta/alpha== 4/ 7. Этот результат согласуется с данными, полученными из измерений шумов ЛФД на основе GaInAsSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.