"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb
Андреев И.А.1, Михайлова М.П.1, Мельников С.В.1, Сморчкова Ю.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.

Проведено исследование лавинного умножения фототока и полевых зависимостей коэффициентов ионизации в твердом растворе Ga0.80In0.20As0.17Sb0.83 в интервале температур 200-300 K. Показано, что зависимость коэффициентов ионизации дырок и электронов от электрического поля хорошо описывается соотношением вида a = aбесконечность exp [-(E0/E)2]. Определены значения характеристического поля E0. Из сопоставления экспериментальных результатов при T=230 K с модифицированной теорией Бараффа оценены средние длины пробега для рассеяния оптического фонона для электронов lambdae=32.5 Angstrem и дырок lambdahso=42.5 Angstrem. Установлено, что в интервале электрических полей E=(1.5-2.2)· 105 В/см преобладает ионизация дырками из спин-орбитально отщепленной валентной зоны. Отношение коэффициентов ионизации составляет при этом beta/alpha== 4/ 7. Этот результат согласуется с данными, полученными из измерений шумов ЛФД на основе GaInAsSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.