"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Широкозонные твердые растворы (SiC)1-x(AlN)x
Сафаралиев Г.К.1, Таиров Ю.М.1, Цветков В.Ф.1
1Дагестанский государственный университет им. В.И. Ленина, Махачкала
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.

Проведены оценки современного состояния разработок и обобщений полученных авторами данной работы результатов по монокристаллическим твердым растворам (SiC)1-x(AlN)x. Рассмотрены критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния. Анализируются различные подходы к технологии приготовления образцов. Определена область стабильного формирования политипной структуры 2H. Приводятся результаты по оптическому поглощению и люминесценции твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x и структур на их основе. Определены условия формирования и впервые получены прямозонные твердые растворы (SiC)1-x(AlN)x. Показана возможность создания на основе варизонных гетероструктур (SiC)1-x(AlN)x/SiC ультрафиолетовых источников излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.