Описываются аналитические методики, позволяющие измерять профиль концентрации элементов как в микронных, так и в субмикронных слоях полупроводниковой гетероструктуры на основе GaAs-Al_xGa_1-xAs с высоким разрешением, практически не зависящим от глубины залегания слоя. Высокое разрешение достигается путем приготовления образца в виде малоуглового химического шлифа и оптимизации условий измерения. При этом использование МРСА обеспечивает глубинное разрешение не хуже 200 Angstrem, а использование оже-электронной спектроскопии - не хуже 30 Angstrem.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.