"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование субмикронных эпитаксиальных слоев, глубоко лежащих в структуре на основе GaAs-AlxGa1-xAs
Деноткин В.Л.1, Козиков С.А.1, Кригель В.Г.1, Козлова С.В.1
1Научно-исследовательский институт "Полюс", Москва
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.

Описываются аналитические методики, позволяющие измерять профиль концентрации элементов как в микронных, так и в субмикронных слоях полупроводниковой гетероструктуры на основе GaAs-AlxGa1-xAs с высоким разрешением, практически не зависящим от глубины залегания слоя. Высокое разрешение достигается путем приготовления образца в виде малоуглового химического шлифа и оптимизации условий измерения. При этом использование МРСА обеспечивает глубинное разрешение не хуже 200 Angstrem, а использование оже-электронной спектроскопии - не хуже 30 Angstrem.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.