Исследованы фотоэлектрические свойства сэндвич-фоторезисторов на основе одиночных гетеропереходов (ГП) InSe-GaSe. ГП были изготовлены методом посадки на оптический контакт. Фотопроводимость в продольном режиме была измерена с помощью контактов, нанесенных на поверхность слоя GaSe. Показано, что спектр фоточувствительности структуры в продольном режиме измерения при освещении со стороны GaSe охватывает широкий диапазон длин волн, соответствующий области поглощения света монокристаллами InSe и GaSe. Причем величина фотопроводимости в области поглощения света монокристаллами InSe управляется варьированием толщины слоя GaSe и прикладыванием поперечного смещения к ГП в пропускном направлении. Предполагается, что появление фоточувствительности за краем поглощения монокристаллов GaSe обусловлено модуляцией толщины слоя объемного заряда инжектированными из InSe фотодырками, а при наличии смещения в пропускном направлении структура представляет собой параллельное соединение фотоcопротивлений из InSe и GaSe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.