Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей
Абрамов В.С.1, Акимченко И.П.1, Дравин В.А.1, Дымова Н.Н.1, Краснопевцев В.В.1, Чалдышев В.В.1, Шмарцев Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.
Исследованы свойства слоев, полученных имплантацией ионов Si, P, Ar, Se, Ga, Kr и их комбинациями Si + P, Si + Ar, Se + Ga, Se + Kr в подложки полуизолирующего GaAs : Cr. Показано, что совместная имплантация изовалентной (P, Ga) и донорной (Si, Se) примесей позволяет повысить концентрацию и подвижность электронов в слое. Обсуждаются вероятные причины этого явления.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
