"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические процессы на границе полупроводник-изотропный жидкий диэлектрик (GaAs, Si-органические растворители)
Денисов В.П.1, Пашук А.В.1
1Всесоюзный научно-исследовательский институт "Электрон" Ленинград
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.

Изучены явления, возникающие при освещении границы полупроводник-органический растворитель (ацетон, бутанол и др.). Методы исследования фотоэдс на границах полупроводник-диэлектрик (вакуум, металл) хорошо известны, однако использование жидкого диэлектрика позволяет существенно уменьшить воздействие на поверхность и делает метод практически неразрушающим. Наличие жидкого диэлектрика приводит к возрастанию фотоэдс на 1-2 порядка по сравнению с системой полупроводник-вакуум, что существенно облегчает измерения. На основе анализа зависимостей фотосигнала от частоты модуляции и интенсивности света можно сделать вывод, что механизмом, приводящим к росту, является ориентация приповерхностных дипольных молекул, связанная со смещением адсорбционно-десорбционного равновесия под воздействием потока фотоэлектронов из объема и с поверхности полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.