"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теория полевого эффекта в туннельно-резонансной гетероструктуре с селективным рассеянием
Борблик В.Л.1, Грибников З.С.1, Маркевич Б.П.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.

Рассчитана продольная омическая проводимость гетероструктуры, включающей пару параллельных квантовых ям, разделенных туннельно проницаемым барьером. Проводимость управляется поперечным электрическим полем, индуцирующим электроны в квантовых ямах и одновременно тонко изменяющим форму потенциальных ям и барьеров. В случае существенно различной скорости рассеяния электронов в ямах (селективного рассеяния) в окрестности области туннельного резонанса происходит существенный провал проводимости структуры, связанный с сильным рассеянием электронов в обеих актуальных энергетических подзонах. Вне же этой области всегда существует группа электронов, локализованных в яме со слабым рассеянием, и поэтому хорошо проводящих. Предложена аналитическая теория эффекта, основанная на теории возмущений для случая почти вырожденных собственных значений и не требующая существенной численной процедуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.