"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние примесного состава n-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда при gamma-облучении
Зубрилов А.С.1, Ковешников С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней изучались механизм и кинетика образования точечных радиационных дефектов, введенных gamma-квантами 60Со в n-Si с широким диапазоном концентрации примесей, а также влияние этих дефектов на время жизни неосновных носителей заряда при высоком и низком уровнях инжекции. Обнаружено, что суммарная скорость введения радиационных комплексов всех типов не чувствительна к присутствию кислорода и донорной примеси в диапазоне концентрации 3· 1013- 1018 см-3, что свидетельствует о неэффективности примесных механизмов радиационного дефектообразования в n-Si. Установлена взаимосвязь примесного состава n-Si с типом доминирующего радиационного центра рекомбинации неосновных носителей заряда и со скоростью радиационной деградации их времени жизни.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.