Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge₂Sb₂Te₅/Au

Фефелов С.А.¹, Казакова Л.П.^1,2, Богословский Н.А.¹, Былев А.Б.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия Kirov State Forest Technical University, St. Petersburg, Russia

Kirov State Forest Technical University, St. Petersburg, Russia

Email: s.fefelov@list.ru

Поступила в редакцию: 10 октября 2024 г.

В окончательной редакции: 27 декабря 2024 г.

Принята к печати: 16 января 2025 г.

Выставление онлайн: 13 февраля 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования пленок Ge₂Sb₂Te₅ субмикронной толщины от 40 до 800 нм. Измерены вольт-амперные характеристики структур TiN/Ge₂Sb₂Te₅/Au и проведено их сравнение. Установлено, что сопротивление электродов и приконтактная область пространственного заряда оказывают значительное влияние на вольт-амперную характеристику. Показано, что область пространственного заряда, расположенная главным образом в пленке Ge₂Sb₂Te₅, является той областью, где развивается процесс переключения. Дана оценка критической напряженности поля, при достижении которой в области пространственного заряда начинается процесс переключения. Предложен метод определения напряженности поля в массиве аморфной части пленки до переключения. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, Ge₂Sb₂Te₅, память с изменяемым фазовым состоянием, контактное сопротивление, переключение.

G.W. Burr, M.J. Breitwisch, M. Franceschini, D. Garetto, K. Gopalakrishnan, B. Jackson, B. Kurdi, C. Lam, L.A. Lastras, A. Padilla, B. Rajendran, S. Raoux, R.S. Shenoy. J. Vac. Sci. Technol. B, 28 (2), 223 (2010)
G.W. Burr, M.J. Brightsky, A. Sebastian, H.-Y. Cheng, J.-Y. Wu, S. Kim, N.E. Sosa, N. Papandreou, H.-L. Lung, H. Pozidis, E. Eleftheriou, C.H. Lam. IEEE J. Emerg. Select. Top. Circuits Syst., 6 (2), 146 (2016)
G.W. Burr, R.M. Shelby, A. Sebastian, S. Kim, S. Kim, S. Sidler, K. Virwani, M. Ishii, P. Narayanan, A. Fumarola, L.L. Sanches, I. Boybat, M. Le Gallo, K. Moon, J. Woo, H. Hwang, Y. Leblebici. Adv. Phys.: X, 2 (1), 89 (2017)
С.А. Козюхин, П.И. Лазаренко, А.И. Попов, И.Л. Еременко. Успехи химии, 91 (9), RCR5033 (2022)
Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. РЭ, 8 (12), 2097 (1963)
A.D. Pearson, W.R. Northover, J.F. Dewald, W.F. Peck, jr. Advances in Glass Technology (Plenum Press, N. Y., 1962) p. 357
R.S. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46 (5), 577 (2012)
R. Huang, K. Sun, K.S. Kiang, R. Chen, Y. Wang, B. Gholipour, D.W. Hewak, C.H. De Groot. Semicond. Sci. Technol., 29 (9), 095003 (2014)
K.A. Cooley, H.M. Aldosari, K. Yang, S.E. Mohney. J. Vac. Sci. Technol. A, 38, 050805 (2020)
С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева. ЖТФ, 84 (4), 80 (2014)
А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, Н.И. Боргардт, П.И. Лазаренко, А.В. Бабич, А.О. Якубов, Д.Ю. Терехов, Ю.С. Зыбина. Сб. тр. Междунар. конф. (СПб., 2018) с. 83
А.О. Якубов, А.А. Шерченков, А.В. Бабич, П.И. Лазаренко, Д.Ю. Терехов. Сб. тр. Междунар. конф. (СПб., 2018) с. 96
А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, П.И. Лазаренко, А.В. Бабич, Н.А. Богословский, И.В. Сагунова, Е.Н. Редичев. ФТП, 51 (2), 154 (2017)
Д.И. Циуляну. ФТП, 22(7), 1181 (1988)
Э.А. Сенокосов, В.Г. Суринов, В.С. Фещенко, В.И. Чукита. Успехи прикл. физики, 8 (4), 273 (2020)
R.-G. Nir-Harwood, G. Cohen, A. Majumdar, R. Haight, E. Ber, L. Gignac, E. Ordan, L. Shoham, Y. Keller, L. Kornblum, E. Yalon. ACSNano, 18, 8029 (2024)
Т. Kato, K. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (10), 7340 (2005)
H. Tong, Z. Yang, N. Yu, L. Zhou, X. Miao. Appl. Phys. Lett., 107 082101 (2015)
М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 47 (9), 1185 (2013)
И.Г. Орлецкий, М.И. Илащук, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, М.Н. Солован, З.Д. Ковалюк. ФТП, 50 (3), 339 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель