Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , State Assignment, FSWR-2022-0007
Самарцев И.В.
1, Байдусь Н.В.
1, Зубков С.Ю.
1, Балясников Д.М.1, Жидяев К.С.
1, Здоровейщев А.В.1, Бобров А.И.1, Сидоренко К.В.
1, Нежданов А.В.1, Клементьев Д.С.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2РФЯЦ-ВНИИЭФ НИИИС им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
2РФЯЦ-ВНИИЭФ НИИИС им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
Email: samartsev@nifti.unn.ru, bnv@nifti.unn.ru, zubkov@phys.unn.ru, kuznechiha4@gmail.com, zhidyaev@nifti.unn.ru, zdorovei@gmail.com, bobrov@phys.unn.ru, sidorenko@nifti.unn.ru, nezhdanov@phys.unn.ru, dimonklemen@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 ноября 2024 г.
В окончательной редакции: 21 ноября 2024 г.
Принята к печати: 18 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 13 февраля 2025 г.
Приведены результаты исследований по созданию фотодиодов на длине волны 1.55 мкм, сформированных на подложках GaAs. InGaAs фотодиодные структуры c InAlGaAs метаморфным буферным слоем с квазикорневым изменением концентрации In выращивались методом МОС-гидридной эпитаксии. Фотодиоды, изготовленные на основе полученных структур, имели область фоточувствительности до 1.68 мкм. Плотность темнового тока при обратном смещении -2 В составила 3·10-3 A/см2. Токовая фоточувствительность на длине волны 1.55 мкм составила 0.6 А/Вт. Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, наноматериалы, полупроводники AIIIBV, инфракрасные фотодиоды, темновой ток.
- N.J. Quitoriano, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 102, 033511 (2007)
- H.G. Nguyen, H.W. Yu, Q.H. Luc, Y.Z. Tang, V.T.H. Phan, C.H. Hsu, E.Y. Chang, Y.C. Tseng. Nanotechnology, 25, 48520 (2014)
- I.V. Samartsev, S.M. Nekorkin, B.N. Zvonkov, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, I.J. Pashenkin, N.V. Dikareva, A.B. Chigineva. Semiconductors, 52 (12), 1564 (2018)
- Yang He, Yurun Sun, Yan Song, Yongming Zhao, Shuzhen Yu, Jianrong Dong. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 065501 (2016)
- I.V. Samartsev, B.N. Zvonkov, N.V. Baidus, A.B. Chigineva, K.S. Zhidyaev, N.V. Dikareva, A.V. Zdoroveyshchev, A.V. Rykov, S.M. Plankina, A.V. Nezhdanov, A.V. Ershov. Semiconductors, 57 (6), 488 (2023)
- J. Tersoff. Appl. Phys. Lett., 62, 693 (1993)
- A. Bosacchi, A.C. De Riccardis, P. Frigeri, S. Franchi, C. Ferrari, S. Gennari, L. Lazzarini, L. Nasi, G. Salviati, A.V. Drigo, F. Romanato. J. Cryst. Growth, 175 (176), 1009 (1997)
- L. Lazzarini, C. Ferrari, S. Gennari, A. Bosacchi, S. Franchi, M. Berti, A.V. Drigo, F. Romanato, G. Salviati. Microsc. Semicond. Mater. Conf. (Oxford, April 7-10, 1997). [Inst. Phys. Conf. Ser. N 157]
- Р.Х. Акчурин, А.А. Мармалюк. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники (М., Техносфера, 2018) c. 488
- R. Kumar, A. Bag, P. Mukhopadhyay, S. Das, D. Biswas. Electron. Mater. Lett., 12, 356 (2016)
- J. Zhang, J. Verbist, B. Moeneclaey, J. Van Weerdenburg, R. Van Uden, H. Chen, J. Van Campenhout, C. Okonkwo, X. Yin, J. Bauwelinck, G. Roelkens. IEEE Photonics J., 8 (1), 1 (2016)
- https://azimp.ru/
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
