Теоретически изучается прыжковый транспорт электронов вдоль оси сверхрешетки, образованной чередующимися слоями Gamma- и X-полупроводников (например, GaAs/AlAs). Особенности транспорта в такой Gamma X-сверхрешетке связаны с возможностью Gamma X-переноса электронов между прилегающими слоями структуры. Такой перенос не связан с туннелированием через потенциальные барьеры, поэтому его вклад в полный ток может быть весьма значительным. Получена формула, описывающая ток за счет Gamma X-переноса, и показано, что условия, в которых этот ток является главным, могут реализоваться при увеличении толщины потенциальных барьеров, температуры и электрического поля. Проведен расчет зависимости тока через сверхрешетку GaAs/AlAs от температуры и от напряженности электрического поля. В условиях, когда ток Gamma X-переноса доминирует, зависимость проводимости сверхрешетки от температуры носит активационный характер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.