Показано, что концетрация дырок, захваченных ловушками в эпитаксиальном n-GaAs, уменьшается при пропускании через эпитаксиальный слой импульса тока. Такое уменьшение объясняется увеличением вероятности рекомбинации горячих электронов с дырками, локализованными на центрах прилипания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.