Теоретически исследована температурная зависимость удельного сопротивления "чистого" полупроводника с неинжектирующими контактами в условиях полной эксклюзии носителей тока. Показано, что оно растет с увеличением приложенного напряжения, достигая при некотором значении его насыщения, а от температуры зависит немонотонно с максимумом, соответствующим смене примесной проводимости собственной. Получено уравнение, определяющее температуру максимума удельного сопротивления T_м, с помощью которого показано, что благодаря эффекту эксклюзии температура T_м повышается и при достаточно высокой концентрации остаточной примеси изменяется на 50/ 100 градусов, достигая 400 K и выше, если увеличивать приложенное напряжение и время жизни носителей и уменьшать до разумных пределов протяженность базового кристалла. В случае p-германия, служащего базой p⁺-p-R-структуры (R - омический тыловой контакт на границе полупроводника с металлом), для образцов с rho₀ (300 K)=7/ 40 Ом · см показано хорошее согласие данных расчета и эксперимента. Тем самым показана возможность существенного расширения диапазона рабочих температур (до 400 K и выше) узкозонного германия с помощью эффекта эксклюзии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.