Проведено физическое моделирование токопереноса в структурах металл-p⁺-n-полупроводник с глубокими уровнями (ГУ) и предложена дифференциальная методика исследования с использованием машинного эксперимента, позволяющая изучить особенности в токопереносе. Приведены значения энергетического положения четырех ГУ, обнаруженных с помощью предложенной методики в структурах Al-p⁺-n-Si, применяемых в микроэлектронике.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.