"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Характеристики полупроводникового диода с резким переходом при высоких уровнях ионизирующих излучений
Кудряшов Н.А.1, Кучеренко С.С.1
1Московский инженерно-физический институт
Выставление онлайн: 19 июня 1991 г.

На основе анализа уравнений дрейфово-диффузионной модели для случая "короткого" диода (диффузионные длины много больше толщин p- и n-областей) с резким переходом и контактами рекомбинационного типа получены соотношения, описывающие зависимость ионизационного тока от параметров структуры и темпа ионизации (учитывается только межзонная генерация носителей). Определены пороговые значения темпа генерации G*, при которых снимается потенциальный барьер p-n-перехода. Проведено сравнение аналитического и численного решений. Характеристики "длинного" диода рассчитаны численно. Показано, что аналитические соотношения, полученные для случая короткого диода, являются предельными для длинного диода. Предложенный подход позволяет рассчитывать ионизационные и фотоэлектрические характеристики структур с нерезким переходом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.