Плазменный резонанс свободных носителей заряда и оценка некоторых параметров зонной структуры материала CdxHg1-xTe
Белогорохов А.И.1, Белогорохова Л.И.1, Белов А.Г.1, Рашевская Е.П.1
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
Выставление онлайн: 19 июня 1991 г.
В рамках модели Кейна проведен расчет некоторых зонных параметров материала CdxHg1-xTe состава 0.165 =< x =< 0.3. Для получения экспериментальных данных и сравнения их с расчетными выбран круг экспериментов, в рамках которого без привлечения подгоночных параметров и без использования результатов, почерпнутых из других источников, на одних и тех же образцах определены эффективные массы электронов на дне зоны проводимости и на уровне Ферми, матричный элемент взаимодействия V- и C-зон, PCV=9.0· 10-8 эВ · см, параметры затухания плазменных колебаний, совпадающие с обратным временем релаксации для объемного материала, и эффективная масса тяжелых дырок mHH*=0.78 m0. Использовались монокристаллические образцы n- и p-типа электропроводности с различной концентрацией носителей заряда. Проведено сравнение полученных данных с результатами работ других авторов.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.