"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подпороговое дефектообразование при мощной импульсной фотонной обработке кремния
Белявский В.И.1, Капустин Ю.А.1, Свиридов В.В.1
1Воронежский государственный педагогический институт
Выставление онлайн: 19 июня 1991 г.

Предлагается механизм подпорогового дефектообразования при широкополосной мощной импульсной фотонной обработке (ИФО) монокристаллов кремния, связанный с эффективным снижением активационного барьера образования пар Френкеля при множественном возбуждении валентных связей в окрестности узла решетки. Показано, что при интенсивности света ~ 102 Вт/см2 основной вклад в дефектообразование дают двукратно возбужденные узлы, для которых снижение барьера составляет 1.0/ 1.5 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.