Рекомбинация в Hg1-x-yCdxMnyTe (x=~ 0.28-0.35, y=~ 0.01-0.02)
Баранский П.И.1, Беляев А.Е.1, Горбатюк И.Н.1, Комиренко С.М.1, Раренко И.М.1, Шевченко Н.В.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 19 июня 1991 г.
Исследованы рекомбинационные процессы в твердых растворах GdMnHgTe. Получены температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла и времени жизни неравновесных носителей заряда. Установлено, что рекомбинация носителей контролируется наличием в запрещенной зоне двух примесных уровней.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.