"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инжекция неравновесных точечных дефектов при диффузии примесей в кристаллах со смешанным механизмом самодиффузии
Константинов А.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 19 июня 1991 г.

Рассмотрена диффузия по межузлиям замещающей примеси в кристалле со смешанным механизмом самодиффузии. Получены критерии нарушения равновесного распределения точечных дефектов, выражения для коэффициента инжекции неравновесных собственных межузлий в объеме кристалла и нелокального концентрационно зависимого коэффициента диффузии. Показано, что вакансионная самодиффузия существенна лишь при значительной доле вакансионной компоненты, сравнимой или превышающей межузельную компоненту самодиффузии. Влияние вакансионной самодиффузии ограничивается лишь приповерхностной областью, в то время как в объеме кристалла вакансии рекомбинируют с инжектированными собственными межузлиями и не оказывают существенного влияния на диффузию примеси. При высокой концентрации и подвижности примеси ее диффузия определяется не столько конкретными особенностями этой примеси, сколько темпом образования свободных узлов кристаллической решетки благодаря притоку вакансий или стоком на поверхность избыточных собственных межузлий. Для облегчения анализа механизма самодиффузии мы предлагаем использовать профили обратной концентрации примеси, которые дают зависимость, близкую к линейной. При значительной доле вакансионной компоненты линейный участок сдвигается в объем кристалла благодаря ускоренной диффузии, связанной с притоком вакансий. Коэффициенты межузельной и вакансионной самодиффузии можно определить по наклону зависимости и величине ее сдвига.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.