Исследованы спектры плазменного отражения эпитаксиальных слоев In_0.53Ga_0.47As, полученных на подложках InP в зависимости от концентрации электронов в интервале 7.5· 10¹⁷/ 3· 10¹⁹ см^-3. Рассмотрено плазмон-фононное взаимодействие в модели двух осцилляторов - InAs и GaAs эпитаксиального слоя InGaAs. Проведены численные расчеты контуров плазменного отражения, обусловленного компонентами InAs и GaAs, определены nu₊ для обоих осцилляторов. Показано, что при концентрациях электронов N > 1.4· 10¹⁸ см^-3 наблюдается отклонение плазмон-подобной ветви nu₊ от параболической зависимости. Рассчитана эффективная масса электронов, которая при N > 4.6· 10¹⁸ см^-3 также имеет непараболический закон.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.