С использованием введенных ранее представлений о режимах конденсации различных SiH_q-комплексов (q=0, 1, 2, 3) рассматривается новый вариант одной из гипотез о природе эффекта псевдолегирования. Приведены полученные различными методами результаты экспериментальных исследований характеристик спектра плотности состояний в диапазоне от уровня Ферми до (приблизительно) середины валентной зоны. С помощью соотношений "диэлектрической теории" полупроводника определено (вызванное варьированием условий приготовления) изменение среднего значения первого координационного числа атомов кремния в пленках a-Si : Н, полученных ВЧ распылением. На основе модели свободного газа валентных электронов оценено ожидаемое смещение положения уровня Ферми при псевдолегировании. Показано, что экспериментальные данные удовлетворительно согласуются с рассматриваемым вариантом гипотезы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.