"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Угол связи Si-O-Si в монокристалле кремния
Сорока В.И.1, Арцимович М.В.1, Могильник И.Ф.1
1Институт ядерных исследований Академии наук Украины,, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Метод резонансного обратного рассеяния и каналирования использован для исследования кристаллов кремния, легированного кислородом. Уточнено местоположение кислорода в решетке кремния, что позволило определить угол связи Si-О-Si равным 163o.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.