"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Статическое экранирование в инверсионном слое
Зебрев Г.И.
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Посредством сведения уравнения Пуассона к интегральному виду решается задача об экранировании внешнего заряда в инверсионных слоях МОП структур. При этом последовательно учитывается экранирование как зарядами на затворе и в обедненной области, так и за счет поляризации носителей в инверсионном слое. Рассмотрено влияние масштаба неоднородностей внешнего заряда на характер экранирования. Получена формула для эффективной подвижности в слабо неоднородном канале.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.